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2026-04-18 05:21:21 来源:东方网(Eastday) 作者:莱清妍

IT之家 3 月 13 日消息,据韩媒 Business Korea 昨天报道,三星电子计划在下一代 HBM 芯片中应用 2nm 制程工艺,在提升技术竞争力的同时紧密结合内存制造、半导体代工能力。行业人士透露,三星正在为第七代 HBM(HBM4E)的 base die 评估 2nm 制程工艺。从原理层面讲,HBM 由 core die 和 base die 组成,前者是垂直堆叠的 DRAM,后者则是起控制器作用。在 HBM3E 之前,base die 只负责较为简单的控制功能,但从 HBM4 时代开始,它需要直接处理部分计算任务,逻辑电路功能得到加强,重要性显著提升。为了提升 HBM4 的性能,三星电子已经找到三星晶圆代工部门生产 4nm 工艺 base die,并结合了最先进的 1c DRAM(第六代 10nm 工艺),成功领先采用台积电 12nm 工艺的 SK 海力士。半导体行业预计,从 HBM4E 开始,面向客户定制的 HBM 芯片将正式出现,其中三星计划年中发布标准版 HBM4E,下半年则根据客户安排为定制产品进行首次 tape-in(IT之家注:流片)。 (function(){ var adScript = document.createElement('script'); adScript.src = '//d1.sina.com.cn/litong/zhitou/sinaads/demo/wenjing8/js/yl_left_hzh_20171020.js'; document.getElementsByTagName('head')[0].appendChild(adScript); })();

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